感應(yīng)加熱來源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象,也就是交變的電流會(huì)在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流,從而導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。1890年瑞典技術(shù)人員發(fā)明了第一臺(tái)感應(yīng)熔煉爐——開槽式有芯爐, 1916年美國人發(fā)明了閉槽有芯爐,從此感應(yīng)加熱技術(shù)逐漸進(jìn)入實(shí)用化階段。20世紀(jì)電力電子器件和技術(shù)的飛速發(fā)展, 極大地促進(jìn)了感應(yīng)加熱技術(shù)的發(fā)展。

1957年,美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管,標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技術(shù)的開始,也引發(fā)了感應(yīng)加熱技術(shù)的革命。1966年,瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱裝置, 從此感應(yīng)加熱技術(shù)開始飛速發(fā)展。

20世紀(jì)80年代后,電力電子器件再次快速發(fā)展,GTO、MOSFET、IGBT、MCT及SIT等器件相繼出現(xiàn)。感應(yīng)加熱裝置也逐漸摒棄晶閘管,開始采用這些新器件。現(xiàn)在比較常用的是IGBT和MOSFET,IGBT用于較大功率場(chǎng)合,而MOSFET用于較高頻率場(chǎng)合。

據(jù)報(bào)道,國外可以采用IGBT將感應(yīng)加熱裝置做到功率超過1000kW,頻率超過50kHz。而MOSFET 較適用高頻場(chǎng)合,通常應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場(chǎng)合,頻率可達(dá)到500kHz以上,甚至幾兆赫茲。然而國外也有推出采用MOSFET的大功率的感應(yīng)加熱裝置,比如美國研制的2000kW/400kHz 的裝置。

我國感應(yīng)熱處理技術(shù)的真正應(yīng)用始于1956年,從前蘇聯(lián)引入,主要應(yīng)用在汽車工業(yè)。隨著20世紀(jì)電源設(shè)備的制造,感應(yīng)淬火工藝裝備也緊隨其后得到發(fā)展。

現(xiàn)在國內(nèi)感應(yīng)淬火工藝裝備制造業(yè)也日益擴(kuò)大,產(chǎn)品品種多,原來需要進(jìn)口的裝備,逐步被國產(chǎn)品所取代,在為國家節(jié)省外匯的同時(shí),發(fā)展了國內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)對(duì)象主要是汽車制造業(yè), 今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對(duì)感應(yīng)加熱有較大需求。 

關(guān)鍵詞：感應(yīng)加熱設(shè)備

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